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Samsung planea lanzar módulos DDR5 de 512 GB

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Actualmente, los módulos DDR4 más potentes del mercado son módulos de 128 GB y 256 GB, que constan de cuatro capas TSV, y Samsung planea duplicar esto y producir módulos DDR5 de 512 GB, que constan de 8 capas TSV.

La producción de nuevos módulos DDR5 con el doble de capas TSV será posible al reducir el grosor de una sola capa TSV en un 50 %. Por supuesto, para que los módulos funcionen, no puede terminar con una simple eclosión de una capa. Los módulos deben estar correctamente alimentados y enfriados. Con reguladores de voltaje más eficientes, los nuevos módulos de memoria funcionarán a 1,1 V y las capas de TSV más densas permitirán una mejor disipación del calor del sistema a los disipadores de calor.

La mejora de eficiencia prevista de los módulos DDR5 sobre DDR4 es de alrededor del 85 %, pero esta no es la primera afirmación que hemos visto con respecto a las ganancias de rendimiento esperadas, por lo que somos un poco escépticos acerca de esta afirmación.

Según Samsung, la transición completa a los módulos DDR5 debería ocurrir entre 2023 y 2024. Para entonces, todos los fabricantes de procesadores y placas base prepararán sus soluciones y veremos de primera mano si los nuevos módulos DDR5 realmente ofrecen tales capacidades. aumento gigantesco en el rendimiento.

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